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IXGX60N60C2D1

IXGX60N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX60N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGX60N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 480W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.258
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGX60N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX60N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX60N60C2D1, IXGX60N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 163 KB)
PDFIXGX60N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGX60N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGX60N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGX60N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGX60N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGX60N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGX60N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max480W
Schaltenergie400µJ (on), 480µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge146nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/95ns
Testbedingung400V, 50A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

420W

Schaltenergie

940µJ (on), 1.06mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/178ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

19ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

448nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TO-247

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/234ns

Testbedingung

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

279ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

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