IRGP4760-EPBF
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| Teilenummer | IRGP4760-EPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGP4760-EPBF |
| Beschreibung | IGBT 650V TO-247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGP4760-EPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGP4760-EPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGP4760-EPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 144A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 48A |
| Leistung - max | 325W |
| Schaltenergie | 1.7mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 145nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 70ns/140ns |
| Testbedingung | 400V, 48A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max 92W Schaltenergie 320µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/178ns Testbedingung 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 220ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max 290W Schaltenergie 105µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/73ns Testbedingung 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 280µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A Leistung - max 48W Schaltenergie 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 125µs/- Testbedingung 480V, 3A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/96ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
