IRGP35B60PDPBF
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| Teilenummer | IRGP35B60PDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGP35B60PDPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 308W TO247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.774 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGP35B60PDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGP35B60PDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGP35B60PDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 308W |
| Schaltenergie | 220µJ (on), 215µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 160nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/110ns |
| Testbedingung | 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A Leistung - max 282W Schaltenergie 840µJ (on), 220µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/417ns Testbedingung 400V, 25A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 341W Schaltenergie 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/170ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 133W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/64ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS (TO-263S) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/99ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
