FGH40T100SMD
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| Teilenummer | FGH40T100SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T100SMD |
| Beschreibung | IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40T100SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T100SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH40T100SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 333W |
| Schaltenergie | 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 265nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/285ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 78ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 363µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/142ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 238W Schaltenergie 1.37mJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16.8ns/54.4ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 101ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 39W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 104A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 208A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 330W Schaltenergie 45µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/120ns Testbedingung 180V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
