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FGH40T100SMD

FGH40T100SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGH40T100SMD
PNEDA Teilenummer FGH40T100SMD
Beschreibung IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 13.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGH40T100SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH40T100SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH40T100SMD, FGH40T100SMD Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.976,85 KB)
PDFFGH40T100SMD-F155 Datenblatt Cover
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FGH40T100SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
Leistung - max333W
Schaltenergie2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge265nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/285ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)78ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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IXGH40N60A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/600ns

Testbedingung

480V, 40A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/148ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

APT80GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

AOK30B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

128A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

1.18mJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/71ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

137ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGP10NC60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 5A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

60µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/160ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

VI-LU3-CU

VI-LU3-CU

Vicor

POWER SUPP 24V 8.33A

1N6283A

1N6283A

ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

SP0506BAATG

SP0506BAATG

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TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

AD9237BCPZ-40

AD9237BCPZ-40

Analog Devices

IC ADC 12BIT PIPELINED 32LFCSP

MAX333AEWP

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Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

ISL6269BCRZ

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

HCPL-063L-500E

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Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

LT1129IQ#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 5DDPAK

SCT30N120

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MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

JAN1N5811

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DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

LTC2644IMS-L12#PBF

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