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IRGC4067B

IRGC4067B

Nur als Referenz

Teilenummer IRGC4067B
PNEDA Teilenummer IRGC4067B
Beschreibung IGBT CHIP WAFER
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.024
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGC4067B Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGC4067B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGC4067B, IRGC4067B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 192,14 KB)
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IRGC4067B Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 120A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge240nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/160ns
Testbedingung400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/78ns

Testbedingung

450V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

SGU15N40LTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

7.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

53.6W

Schaltenergie

50µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/128ns

Testbedingung

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

STGF7H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

99µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

400V, 7A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/165ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Kürzlich verkauft

TS922IDT

TS922IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

TAJA475K016RNJ

TAJA475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1206

AQY210S

AQY210S

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

DF10M

DF10M

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

SMBJ15A-E3/52

SMBJ15A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN