IRG8CH184K10F
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG8CH184K10F |
| PNEDA Teilenummer | IRG8CH184K10F |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.910 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRG8CH184K10F Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRG8CH184K10F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRG8CH184K10F Datasheet
- where to find IRG8CH184K10F
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRG8CH184K10F
- IRG8CH184K10F PDF Datasheet
- IRG8CH184K10F Stock
- IRG8CH184K10F Pinout
- Datasheet IRG8CH184K10F
- IRG8CH184K10F Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRG8CH184K10F Price
- IRG8CH184K10F Distributor
IRG8CH184K10F Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 200A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 1110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 135ns/640ns |
| Testbedingung | 600V, 200A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/60ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS220™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 75W Schaltenergie 110µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/116ns Testbedingung 400V, 4A, 43Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/450ns Testbedingung 480V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max 600W Schaltenergie 1.54mJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 189nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/104ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 47ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
