IRG7CH35UED
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| Teilenummer | IRG7CH35UED |
| PNEDA Teilenummer | IRG7CH35UED |
| Beschreibung | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG7CH35UED Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7CH35UED |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7CH35UED Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 1.57mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 436nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/275ns Testbedingung 400V, 75A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 59ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 39A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A Leistung - max 88W Schaltenergie 56µJ (on), 78.5µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 400V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 95A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 276W Schaltenergie 1.17mJ (on), 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/142ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 102ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 240A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/140ns Testbedingung 320V, 240A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
