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IKZ75N65EL5XKSA1

IKZ75N65EL5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKZ75N65EL5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKZ75N65EL5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 100A TO247-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKZ75N65EL5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKZ75N65EL5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKZ75N65EL5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 75A
Leistung - max536W
Schaltenergie1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge436nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.120ns/275ns
Testbedingung400V, 75A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)59ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-247-4
LieferantengerätepaketPG-TO247-4

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

57µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/60ns

Testbedingung

300V, 3A, 80Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

52ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

80µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/116ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

680A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

366nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/450ns

Testbedingung

960V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

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