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IRG4PH30KPBF

IRG4PH30KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PH30KPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PH30KPBF
Beschreibung IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG4PH30KPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PH30KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PH30KPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 10A
Leistung - max100W
Schaltenergie640µJ (on), 920µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/200ns
Testbedingung960V, 10A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

FGL60N100BNTD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

140ns/630ns

Testbedingung

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

IKP15N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

105W

Schaltenergie

120µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

320V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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