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IRG4BC30K-S

IRG4BC30K-S

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30K-S
PNEDA Teilenummer IRG4BC30K-S
Beschreibung IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC30K-S Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30K-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC30K-S, IRG4BC30K-S Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 164,65 KB)
PDFIRG4BC30K-STRLP Datenblatt Cover
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IRG4BC30K-S Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)58A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 16A
Leistung - max100W
Schaltenergie360µJ (on), 510µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge67nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/130ns
Testbedingung480V, 16A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

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Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

23W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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FGA25S125P

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/230ns

Testbedingung

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV (IXYT)

APT50GS60BRG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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