Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFP2907PBF
PNEDA Teilenummer IRFP2907PBF
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 26.874
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFP2907PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFP2907PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFP2907PBF Datasheet
  • where to find IRFP2907PBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFP2907PBF
  • IRFP2907PBF PDF Datasheet
  • IRFP2907PBF Stock

  • IRFP2907PBF Pinout
  • Datasheet IRFP2907PBF
  • IRFP2907PBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFP2907PBF Price
  • IRFP2907PBF Distributor

IRFP2907PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.209A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs620nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)470W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AC
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTB5404NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

167A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 32V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 254W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIB410DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-75-6L

TPS1101DR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.25nC @ 10V

Vgs (Max)

+2V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

791mW (Ta)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STF28NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPP80N03S2L05AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

89.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

MCP1725-3302E/MC

MCP1725-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

MAX3232ESE+T

MAX3232ESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

5CEFA4U19C8N

5CEFA4U19C8N

Intel

IC FPGA 224 I/O 484UBGA

AT-32033-TR1G

AT-32033-TR1G

Broadcom

RF TRANS NPN 5.5V SOT23

SS-5-1A-AP

SS-5-1A-AP

Eaton - Electronics Division

FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

CDSOD323-T15SC

CDSOD323-T15SC

Bourns

TVS DIODE 15V 33V SOD323

EVQ-Q2K03W

EVQ-Q2K03W

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

CB3LV-3I-30M0000

CB3LV-3I-30M0000

CTS Frequency Controls

XTAL OSC XO 30.0000MHZ HCMOS TTL

VN610SP-E

VN610SP-E

STMicroelectronics

RELAY SSR HI-SIDE 1CH POWERSO10

2N4416A

2N4416A

Central Semiconductor Corp

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72