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IRF7755GTRPBF

IRF7755GTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7755GTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7755GTRPBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
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IRF7755GTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7755GTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7755GTRPBF, IRF7755GTRPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 234,74 KB)
PDFIRF7755GTRPBF Datenblatt Cover
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IRF7755GTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1090pF @ 15V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 30V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta), 4.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC, 5.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

501pF, 590pF @ 15V, 25V

Leistung - max

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4565ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

BSL306NL6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Hersteller

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

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