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NTLUD3191PZTBG

NTLUD3191PZTBG

Nur als Referenz

Teilenummer NTLUD3191PZTBG
PNEDA Teilenummer NTLUD3191PZTBG
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.850
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NTLUD3191PZTBG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLUD3191PZTBG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTLUD3191PZTBG, NTLUD3191PZTBG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 141,62 KB)
PDFNTLUD3191PZTAG Datenblatt Cover
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NTLUD3191PZTBG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 10V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-UDFN (1.6x1.6)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Leistung - max

20mW

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

SI4618DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 15.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1535pF @ 15V

Leistung - max

1.98W, 4.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5517DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

8.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

DMC3025LDV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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