NTLUD3191PZTBG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NTLUD3191PZTBG |
| PNEDA Teilenummer | NTLUD3191PZTBG |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NTLUD3191PZTBG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | NTLUD3191PZTBG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NTLUD3191PZTBG Datasheet
- where to find NTLUD3191PZTBG
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NTLUD3191PZTBG
- NTLUD3191PZTBG PDF Datasheet
- NTLUD3191PZTBG Stock
- NTLUD3191PZTBG Pinout
- Datasheet NTLUD3191PZTBG
- NTLUD3191PZTBG Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NTLUD3191PZTBG Price
- NTLUD3191PZTBG Distributor
NTLUD3191PZTBG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFN (1.6x1.6) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 800V Leistung - max 20mW Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 15.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V Leistung - max 1.98W, 4.16W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
