IPN60R2K1CEATMA1
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Teilenummer | IPN60R2K1CEATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPN60R2K1CEATMA1 |
Beschreibung | MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.478 |
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IPN60R2K1CEATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPN60R2K1CEATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPN60R2K1CEATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
Paket / Fall | SOT-223-3 |
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