Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFP32N50K

IRFP32N50K

Nur als Referenz

Teilenummer IRFP32N50K
PNEDA Teilenummer IRFP32N50K
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 22 - Dez 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFP32N50K Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFP32N50K
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFP32N50K, IRFP32N50K Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 177,87 KB)
PDFIRFP32N50K Datenblatt Cover
IRFP32N50K Datenblatt Seite 2 IRFP32N50K Datenblatt Seite 3 IRFP32N50K Datenblatt Seite 4 IRFP32N50K Datenblatt Seite 5 IRFP32N50K Datenblatt Seite 6 IRFP32N50K Datenblatt Seite 7 IRFP32N50K Datenblatt Seite 8 IRFP32N50K Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFP32N50K Datasheet
  • where to find IRFP32N50K
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFP32N50K
  • IRFP32N50K PDF Datasheet
  • IRFP32N50K Stock

  • IRFP32N50K Pinout
  • Datasheet IRFP32N50K
  • IRFP32N50K Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFP32N50K Price
  • IRFP32N50K Distributor

IRFP32N50K Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5280pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)460W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STE60N105DK5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ DK5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1050V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

204nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6675pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

680W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

DKI06261

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.2mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD4685

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.4A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD17NF03L-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NTTFS4C02NTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

91W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

3224W-1-103E

3224W-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP

LBM2016T330J

LBM2016T330J

Taiyo Yuden

FIXED IND 33UH 125MA 3.6 OHM SMD

IHLP2525CZERR22M01

IHLP2525CZERR22M01

Vishay Dale

FIXED IND 220NH 23A 2.8 MOHM SMD

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

PM5022-101M-RC

PM5022-101M-RC

Bourns

FIXED IND 100UH 1.7A 190 MOHM

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

CSTCE12M0G55-R0

CSTCE12M0G55-R0

Murata

CER RES 12.0000MHZ 33PF SMD

ASFL1-12.000MHZ-EK-T

ASFL1-12.000MHZ-EK-T

Abracon

XTAL OSC XO 12.0000MHZ HCMOS TTL

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

Abracon

CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917