CDM3-800 TR13
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| Teilenummer | CDM3-800 TR13 |
| PNEDA Teilenummer | CDM3-800-TR13 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 3A 800V DPAK |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CDM3-800 TR13 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CDM3-800 TR13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CDM3-800 TR13 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket EMT3F (SOT-416FL) Paket / Fall SC-89, SOT-490 |
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