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IPG20N06S2L35ATMA1

IPG20N06S2L35ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPG20N06S2L35ATMA1
PNEDA Teilenummer IPG20N06S2L35ATMA1
Beschreibung MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 37.296
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IPG20N06S2L35ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPG20N06S2L35ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IPG20N06S2L35ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 27µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds790pF @ 25V
Leistung - max65W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-4

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 20V

Leistung - max

1.42W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDS4935A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

259pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

NVMFD5C462NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 84A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Leistung - max

3W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

APTJC120AM13VCT1AG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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