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FMP76-010T

FMP76-010T

Nur als Referenz

Teilenummer FMP76-010T
PNEDA Teilenummer FMP76-010T
Beschreibung MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FMP76-010T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMP76-010T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FMP76-010T, FMP76-010T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 106,91 KB)
PDFFMP76-01T Datenblatt Cover
FMP76-01T Datenblatt Seite 2 FMP76-01T Datenblatt Seite 3 FMP76-01T Datenblatt Seite 4

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FMP76-010T Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieTrench™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.62A, 54A
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5080pF @ 25V
Leistung - max89W, 132W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.5pF @ 15V

Leistung - max

125mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

542pF @ 10V

Leistung - max

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.63mOhm @ 200A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

496nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14700pF @ 800V

Leistung - max

20mW (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

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