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IKD04N60R

IKD04N60R

Nur als Referenz

Teilenummer IKD04N60R
PNEDA Teilenummer IKD04N60R
Beschreibung IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.164
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IKD04N60R Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD04N60R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD04N60R, IKD04N60R Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.857,96 KB)
PDFIKU04N60RBKMA1 Datenblatt Cover
IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 2 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 3 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 4 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 5 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 6 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 7 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 8 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 9 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 10 IKU04N60RBKMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD04N60R Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Leistung - max75W
Schaltenergie240µJ
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/146ns
Testbedingung400V, 4A, 43Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)43ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

675µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/105ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

500µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/137ns

Testbedingung

480V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGPC50U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

350µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/192ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

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