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IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW30N65R5XKSA1
PNEDA Teilenummer IHW30N65R5XKSA1
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IHW30N65R5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW30N65R5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IHW30N65R5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max176W
Schaltenergie850µJ (on), 240µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge153nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/220ns
Testbedingung400V, 30A, 13Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/250ns

Testbedingung

300V, 15A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/240ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

340ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

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-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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