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IGP20N60H3XKSA1

IGP20N60H3XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGP20N60H3XKSA1
PNEDA Teilenummer IGP20N60H3XKSA1
Beschreibung IGBT 600V 40A 170W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGP20N60H3XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGP20N60H3XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGP20N60H3XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Leistung - max170W
Schaltenergie690µJ
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/194ns
Testbedingung400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/130ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/550ns

Testbedingung

800V, 10A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/144ns

Testbedingung

400V, 75A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGA6530WDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

960µJ (on), 162µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/42.4ns

Testbedingung

400V, 30A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

81ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

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TO-3PN

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

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Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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TO-247-3

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