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IGA30N60H3XKSA1

IGA30N60H3XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGA30N60H3XKSA1
PNEDA Teilenummer IGA30N60H3XKSA1
Beschreibung IGBT 600V 18A 43W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.958
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGA30N60H3XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGA30N60H3XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IGA30N60H3XKSA1, IGA30N60H3XKSA1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 2.104,88 KB)
PDFIGA30N60H3XKSA1 Datenblatt Cover
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IGA30N60H3XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Leistung - max43W
Schaltenergie1.17mJ
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/207ns
Testbedingung400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketPG-TO220-3-31 Full Pack

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/180ns

Testbedingung

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

IGP40N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

390µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

NGTB40N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/250ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

SGTB11N60R2DT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRGBC30S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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