IDL08G65C5XUMA2
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| Teilenummer | IDL08G65C5XUMA2 |
| PNEDA Teilenummer | IDL08G65C5XUMA2 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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IDL08G65C5XUMA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDL08G65C5XUMA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDL08G65C5XUMA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 140µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-PowerTSFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-VSON-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
