GWM160-0055X1-SL
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| Teilenummer | GWM160-0055X1-SL |
| PNEDA Teilenummer | GWM160-0055X1-SL |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GWM160-0055X1-SL Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GWM160-0055X1-SL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
GWM160-0055X1-SL, GWM160-0055X1-SL Datenblatt
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GWM160-0055X1-SL Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 17-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS-DIL™ |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 60.7mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 712pF @ 25V Leistung - max 3.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
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