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GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

Nur als Referenz

Teilenummer GWM120-0075P3-SL
PNEDA Teilenummer GWM120-0075P3-SL
Beschreibung MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
Hersteller IXYS
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GWM120-0075P3-SL Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWM120-0075P3-SL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
GWM120-0075P3-SL, GWM120-0075P3-SL Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 208,49 KB)
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GWM120-0075P3-SL Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.118A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall17-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketISOPLUS-DIL™

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40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 20V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

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-

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 10V

Leistung - max

650mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA, 420mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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2 N-Channel (Dual)

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100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

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