Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6P36FE,LM
PNEDA Teilenummer SSM6P36FE-LM
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.840
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSM6P36FE Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6P36FE,LM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SSM6P36FE,LM Datasheet
  • where to find SSM6P36FE,LM
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE,LM
  • SSM6P36FE,LM PDF Datasheet
  • SSM6P36FE,LM Stock

  • SSM6P36FE,LM Pinout
  • Datasheet SSM6P36FE,LM
  • SSM6P36FE,LM Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • SSM6P36FE,LM Price
  • SSM6P36FE,LM Distributor

SSM6P36FE Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketES6 (1.6x1.6)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 25V

Leistung - max

27.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8W Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8W Dual

BSL308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

APTC60AM35T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

416W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FDMD86100

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 50V

Leistung - max

2.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-Power 5x6

SI4830ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

SSC9522S

SSC9522S

Sanken

IC CTLR QUASI RES AC/DC 8SOP

PDS1040-13

PDS1040-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

0451004.MR

0451004.MR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

ISL80103IRAJZ

ISL80103IRAJZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 10DFN

MLX90614ESF-DCI-000-TU

MLX90614ESF-DCI-000-TU

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39

HDSP-0770

HDSP-0770

Broadcom

DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER

AD7495AR

AD7495AR

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 8SOIC

BC184B

BC184B

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC