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FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Nur als Referenz

Teilenummer FDG6303N-F169
PNEDA Teilenummer FDG6303N-F169
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.526
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FDG6303N-F169 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDG6303N-F169
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDG6303N-F169, FDG6303N-F169 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 528,3 KB)
PDFFDG6303N-F169 Datenblatt Cover
FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 2 FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 3 FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 4 FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 5 FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 6 FDG6303N-F169 Datenblatt Seite 7

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FDG6303N-F169 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Leistung - max300mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88 (SC-70-6)

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Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

820mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Leistung - max

6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

KGF6N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

5.5V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 3.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 5.5V

Leistung - max

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

735pF @ 25V

Leistung - max

34W

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