GPA030A135MN-FDR
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| Teilenummer | GPA030A135MN-FDR |
| PNEDA Teilenummer | GPA030A135MN-FDR |
| Beschreibung | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GPA030A135MN-FDR Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GPA030A135MN-FDR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR Datenblatt
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GPA030A135MN-FDR Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1350V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 329W |
| Schaltenergie | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 300nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/145ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A Leistung - max 446W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/226ns Testbedingung 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.35mJ (on), 309µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20.8ns/62.4ns Testbedingung 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31.8ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 88W Schaltenergie 40µJ (on), 136µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/86ns Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
