GPA030A135MN-FDR
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| Teilenummer | GPA030A135MN-FDR |
| PNEDA Teilenummer | GPA030A135MN-FDR |
| Beschreibung | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GPA030A135MN-FDR Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GPA030A135MN-FDR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR Datenblatt
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GPA030A135MN-FDR Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1350V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 329W |
| Schaltenergie | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 300nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/145ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 543W Schaltenergie 4495µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/320ns Testbedingung 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
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