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FQB5N60CTM-WS

FQB5N60CTM-WS

Nur als Referenz

Teilenummer FQB5N60CTM-WS
PNEDA Teilenummer FQB5N60CTM-WS
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 4.5A
Hersteller ON Semiconductor
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FQB5N60CTM-WS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQB5N60CTM-WS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQB5N60CTM-WS, FQB5N60CTM-WS Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 579,8 KB)
PDFFQB5N60CTM-WS Datenblatt Cover
FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 2 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 3 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 4 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 5 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 6 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 7 FQB5N60CTM-WS Datenblatt Seite 8

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FQB5N60CTM-WS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)100W (Tc)
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

Paket / Fall

ISOPLUS220™

NVMFS5C430NWFAFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Ta), 185A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 106W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

PMXB65ENEZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN1010D-3

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 11A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

2SK4066-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12500pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.65W (Ta), 90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

SMP

Paket / Fall

TO-220-3, Short Tab

Kürzlich verkauft

HSMS-2862-TR1G

HSMS-2862-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

ADV7180BCPZ

ADV7180BCPZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER SDTV 40-LFCSP

MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

ST62T65CM6

ST62T65CM6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

VLCF5020T-220MR75-1

VLCF5020T-220MR75-1

TDK

FIXED IND 22UH 750MA 496 MOHM

IHLP2525CZER3R3M01

IHLP2525CZER3R3M01

Vishay Dale

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

RT0603DRD07200RL

RT0603DRD07200RL

Yageo

RES SMD 200 OHM 0.5% 1/10W 0603

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

IXGX120N60B

IXGX120N60B

IXYS

IGBT 600V 200A 660W TO247

DM74LS14M

DM74LS14M

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC