Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2SK4066-E

2SK4066-E

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK4066-E
PNEDA Teilenummer 2SK4066-E
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 100A SMP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.248
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 2 - Mär 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK4066-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK4066-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 2SK4066-E Datasheet
  • where to find 2SK4066-E
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor 2SK4066-E
  • 2SK4066-E PDF Datasheet
  • 2SK4066-E Stock

  • 2SK4066-E Pinout
  • Datasheet 2SK4066-E
  • 2SK4066-E Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • 2SK4066-E Price
  • 2SK4066-E Distributor

2SK4066-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12500pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketSMP
Paket / FallTO-220-3, Short Tab

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RSR020P05FRATL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96

FQB6N50TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB42N03S2L-13 G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 37µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SSM3K302T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

71mOhm @ 2A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 4V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSM

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NDP4060L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

IS82C54

IS82C54

Renesas Electronics America Inc.

IC OSC PROG TIMER 8MHZ 28PLCC

PBSS4250X,115

PBSS4250X,115

Nexperia

TRANS NPN 50V 2A SOT89

LFE3-17EA-6MG328C

LFE3-17EA-6MG328C

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 116 I/O 328CSBGA

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

LT1308BIS8#TRPBF

LT1308BIS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BST SEPIC ADJ 2A 8SOIC

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

AQY210SZ

AQY210SZ

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

TLP227G-2(TP1,N,F)

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

AT24C256-10TI-2.7

AT24C256-10TI-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123