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FPF1C2P5BF07A

FPF1C2P5BF07A

Nur als Referenz

Teilenummer FPF1C2P5BF07A
PNEDA Teilenummer FPF1C2P5BF07A
Beschreibung MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
Hersteller ON Semiconductor
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FPF1C2P5BF07A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFPF1C2P5BF07A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FPF1C2P5BF07A, FPF1C2P5BF07A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 2.446,59 KB)
PDFFPF1C2P5BF07A Datenblatt Cover
FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 2 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 3 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 4 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 5 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 6 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 7 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 8 FPF1C2P5BF07A Datenblatt Seite 9

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FPF1C2P5BF07A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ5 N-Channel (Solar Inverter)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallF1 Module
LieferantengerätepaketF1

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

AON5820

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 10V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x5)

SI7900AEDN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

FMK75-01F

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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