FP50R12KE3BOSA1
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| Teilenummer | FP50R12KE3BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP50R12KE3BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE 1200V 50A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP50R12KE3BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP50R12KE3BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FP50R12KE3BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Leistung - max | 280W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
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