APTGT50H60RT3G
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| Teilenummer | APTGT50H60RT3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT50H60RT3G |
| Beschreibung | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT50H60RT3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT50H60RT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT50H60RT3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Leistung - max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Eingabe | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Powerex Inc. Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1850W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 550A Leistung - max 1750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 450A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 37nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 290A Leistung - max 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
