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FID35-06C

FID35-06C

Nur als Referenz

Teilenummer FID35-06C
PNEDA Teilenummer FID35-06C
Beschreibung IGBT 600V 38A 125W I4PAC5
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.778
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FID35-06C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFID35-06C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FID35-06C, FID35-06C Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 47,41 KB)
PDFFID35-06C Datenblatt Cover
FID35-06C Datenblatt Seite 2

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FID35-06C Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Leistung - max125W
Schaltenergie1.1mJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung300V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Serie

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IGBT-Typ

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1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

257nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/243ns

Testbedingung

600V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

225W

Schaltenergie

310µJ (on), 1.14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/390ns

Testbedingung

300V, 30A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB30N60FWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

650µJ (on), 650µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

81ns/190ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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