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FGP3440G2-F085

FGP3440G2-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FGP3440G2-F085
PNEDA Teilenummer FGP3440G2-F085
Beschreibung ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 12.330
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGP3440G2-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP3440G2-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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FGP3440G2-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26.9A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.2V @ 4V, 6A
Leistung - max166W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1µs/5.3µs
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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IRG4BC30W-S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

425V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

11.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

2.3µs/2µs

Testbedingung

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4BC20KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG6B330UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.76V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/176ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

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ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

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MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

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CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

24LC02B-I/ST

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Microchip Technology

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

LPC2388FBD144,551

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ams

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MUR160

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

SRV05-4.TCT

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Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

PDS1040-13

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

MCH3478-TL-W

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3