FGH40T65UPD
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| Teilenummer | FGH40T65UPD |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T65UPD |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 268W TO-247AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40T65UPD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T65UPD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH40T65UPD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 1.59mJ (on), 580µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 177nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/144ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 229W Schaltenergie 2.1mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 72ns/165ns Testbedingung 600V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 62A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 210W Schaltenergie 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/70ns Testbedingung 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 390µJ (on), 370µJ (Off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/126ns Testbedingung 600V, 8A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 103ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 36A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 113nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 400V, 36A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 216W Schaltenergie 1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/240ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 120ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
