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IXSR40N60CD1

IXSR40N60CD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSR40N60CD1
PNEDA Teilenummer IXSR40N60CD1
Beschreibung IGBT 600V 62A 210W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.262
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IXSR40N60CD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSR40N60CD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSR40N60CD1, IXSR40N60CD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 36,43 KB)
PDFIXSR40N60CD1 Datenblatt Cover
IXSR40N60CD1 Datenblatt Seite 2

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IXSR40N60CD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)62A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max210W
Schaltenergie1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge190nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/70ns
Testbedingung480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1800V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 40A

Leistung - max

535W

Schaltenergie

1.85mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

468nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/565ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IRGS4640DTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

215µJ (on), 245µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/500ns

Testbedingung

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

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Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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