FGH40N6S2D
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| Teilenummer | FGH40N6S2D |
| PNEDA Teilenummer | FGH40N6S2D |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 290W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40N6S2D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40N6S2D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH40N6S2D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | 115µJ (on), 195µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 35nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 8ns/35ns |
| Testbedingung | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 48ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max 185W Schaltenergie 350µJ (on), 435µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/120ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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