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IXGA16N60B2D1

IXGA16N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA16N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXGA16N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGA16N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA16N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA16N60B2D1, IXGA16N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 213,33 KB)
PDFIXGP16N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 6 IXGP16N60B2D1 Datenblatt Seite 7

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IXGA16N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 12A
Leistung - max150W
Schaltenergie160µJ (on), 120µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/73ns
Testbedingung400V, 12A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

70µJ (on), 30µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/115ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IKP20N60H3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/194ns

Testbedingung

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

112ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

145A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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DGTD65T50S1PT

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

770µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

287nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/328ns

Testbedingung

400V, 50A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

Leistung - max

83W

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Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

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400V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

134.5ns

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