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IXA12IF1200HB

IXA12IF1200HB

Nur als Referenz

Teilenummer IXA12IF1200HB
PNEDA Teilenummer IXA12IF1200HB
Beschreibung IGBT 1200V 20A 85W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.654
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXA12IF1200HB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA12IF1200HB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA12IF1200HB, IXA12IF1200HB Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 144,85 KB)
PDFIXA12IF1200HB Datenblatt Cover
IXA12IF1200HB Datenblatt Seite 2 IXA12IF1200HB Datenblatt Seite 3 IXA12IF1200HB Datenblatt Seite 4 IXA12IF1200HB Datenblatt Seite 5 IXA12IF1200HB Datenblatt Seite 6

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IXA12IF1200HB Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
Leistung - max85W
Schaltenergie1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (HB)

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IRGR2B60KDTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2A

Leistung - max

35W

Schaltenergie

74µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/150ns

Testbedingung

400V, 2A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/280ns

Testbedingung

600V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IXGA7N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

70µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/65ns

Testbedingung

480V, 7A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

STGW40S120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

129nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/148ns

Testbedingung

600V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

355ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

RHRP3060

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

0251007.NRT1L

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

FDD86540

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MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

BZT52C8V2S-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

LTC3676HUJ-1#TRPBF

LTC3676HUJ-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

SMDB3

SMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

LTV-817S-TA1-D

LTV-817S-TA1-D

Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

0451007.MRL

0451007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

Bourns

TVS DIODE 24V 40V SOT23

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

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IC FPGA 300 I/O 676FBGA