STGW40S120DF3
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| Teilenummer | STGW40S120DF3 |
| PNEDA Teilenummer | STGW40S120DF3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.644 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW40S120DF3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40S120DF3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40S120DF3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 468W |
| Schaltenergie | 1.43mJ (on), 3.83mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 129nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/148ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 355ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 345V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 15A Leistung - max 176W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.1µs/26.5µs Testbedingung 300V, 15A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A Leistung - max 333W Schaltenergie 2.6mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/299ns Testbedingung 400V, 50A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 428W Schaltenergie 1.74mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/490ns Testbedingung 600V, 25A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max 68W Schaltenergie 40µJ (on), 136µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/86ns Testbedingung 400V, 4A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 133ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
