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FGD5T120SH

FGD5T120SH

Nur als Referenz

Teilenummer FGD5T120SH
PNEDA Teilenummer FGD5T120SH
Beschreibung IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGD5T120SH Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD5T120SH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGD5T120SH, FGD5T120SH Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 610,2 KB)
PDFFGD5T120SH Datenblatt Cover
FGD5T120SH Datenblatt Seite 2 FGD5T120SH Datenblatt Seite 3 FGD5T120SH Datenblatt Seite 4 FGD5T120SH Datenblatt Seite 5 FGD5T120SH Datenblatt Seite 6 FGD5T120SH Datenblatt Seite 7 FGD5T120SH Datenblatt Seite 8 FGD5T120SH Datenblatt Seite 9 FGD5T120SH Datenblatt Seite 10

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FGD5T120SH Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 5A
Leistung - max69W
Schaltenergie247µJ (on), 94µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge6.7nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.4.8ns/24.8ns
Testbedingung600V, 5A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

210µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/192ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

AIKW75N60CTE8188XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

2mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/330ns

Testbedingung

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

121ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

Leistung - max

312W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/190ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IGB30N60H3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

1.17mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/207ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

Kürzlich verkauft

M48Z128Y-85PM1

M48Z128Y-85PM1

STMicroelectronics

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

MCP23016-I/SP

MCP23016-I/SP

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

74279226101

74279226101

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN

DALC208SC6

DALC208SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOT23-6

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

PIC12F752-I/SN

PIC12F752-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

302R29W102KV4E

302R29W102KV4E

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CAP CER 1000PF 3KV X7R 1808

NC7SV74K8X

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ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8

FP1107R1-R51-R

FP1107R1-R51-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM

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W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

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IC FLASH 256M SPI 24TFBGA