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IGB30N60H3ATMA1

IGB30N60H3ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGB30N60H3ATMA1
PNEDA Teilenummer IGB30N60H3ATMA1
Beschreibung IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 12.756
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGB30N60H3ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGB30N60H3ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGB30N60H3ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Leistung - max187W
Schaltenergie1.17mJ
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/207ns
Testbedingung400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Leistung - max

962W

Schaltenergie

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

660nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/300ns

Testbedingung

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

IXST30N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

AOK20B60D1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

74A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

760µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/66ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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