Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FGD4536TM

FGD4536TM

Nur als Referenz

Teilenummer FGD4536TM
PNEDA Teilenummer FGD4536TM
Beschreibung IGBT 360V 125W DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.694
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGD4536TM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD4536TM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGD4536TM, FGD4536TM Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.130,19 KB)
PDFFGD4536TM Datenblatt Cover
FGD4536TM Datenblatt Seite 2 FGD4536TM Datenblatt Seite 3 FGD4536TM Datenblatt Seite 4 FGD4536TM Datenblatt Seite 5 FGD4536TM Datenblatt Seite 6 FGD4536TM Datenblatt Seite 7 FGD4536TM Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FGD4536TM Datasheet
  • where to find FGD4536TM
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FGD4536TM
  • FGD4536TM PDF Datasheet
  • FGD4536TM Stock

  • FGD4536TM Pinout
  • Datasheet FGD4536TM
  • FGD4536TM Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FGD4536TM Price
  • FGD4536TM Distributor

FGD4536TM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)360V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 50A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge47nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG4BC40WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

118A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

1mJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

44nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/75ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

RGTH80TS65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

234W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/120ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

APT44GA60BD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

409µJ (on), 258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/84ns

Testbedingung

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRGS6B60KDTRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

A3P250-VQG100I

A3P250-VQG100I

Microsemi

IC FPGA 68 I/O 100VQFP

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

MAX3232EUE+

MAX3232EUE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

TCZT8020-PAER

TCZT8020-PAER

Vishay Semiconductor Opto Division

PAIRS, IR, SINGLE PARTS: V420P/S

JAN1N4148-1

JAN1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

DEA202450BT-1294C1-H

DEA202450BT-1294C1-H

TDK

FILTER BANDPASS WLAN&BLUETOOTH

PI4ULS5V202UEX

PI4ULS5V202UEX

Diodes Incorporated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MSOP

AD694ARZ-REEL

AD694ARZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSMITTER 4-20MA 16-SOIC

0CNL200.V

0CNL200.V

Littelfuse

FUSE STRIP 200A 32VAC/VDC BOLT

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

AS5047D-ATSM

AS5047D-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG