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IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYT30N65C3H1HV
PNEDA Teilenummer IXYT30N65C3H1HV
Beschreibung IGBT 650V 60A 270W TO268HV
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.562
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IXYT30N65C3H1HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYT30N65C3H1HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYT30N65C3H1HV, IXYT30N65C3H1HV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 260,59 KB)
PDFIXYT30N65C3H1HV Datenblatt Cover
IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 2 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 3 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 4 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 5 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 6

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IXYT30N65C3H1HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)118A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max270W
Schaltenergie1mJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge44nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/75ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Serie

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 11A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

410µJ (on), 2.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/463ns

Testbedingung

480V, 11A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

276W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/142ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

498µJ (on), 363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

620µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/100ns

Testbedingung

800V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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