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IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYT30N65C3H1HV
PNEDA Teilenummer IXYT30N65C3H1HV
Beschreibung IGBT 650V 60A 270W TO268HV
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.562
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IXYT30N65C3H1HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYT30N65C3H1HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYT30N65C3H1HV, IXYT30N65C3H1HV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 260,59 KB)
PDFIXYT30N65C3H1HV Datenblatt Cover
IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 2 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 3 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 4 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 5 IXYT30N65C3H1HV Datenblatt Seite 6

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IXYT30N65C3H1HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)118A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max270W
Schaltenergie1mJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge44nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/75ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

276W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/142ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 20A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/135ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

266ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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