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FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT

Nur als Referenz

Teilenummer FGB30N6S2DT
PNEDA Teilenummer FGB30N6S2DT
Beschreibung IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGB30N6S2DT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGB30N6S2DT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGB30N6S2DT, FGB30N6S2DT Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datenblatt Cover
FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 2 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 3 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 4 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 5 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 6 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 7 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 8 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 9 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 10 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 11

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FGB30N6S2DT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max167W
Schaltenergie55µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/40ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)46ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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IKP20N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

160µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/165ns

Testbedingung

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

720µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/62ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

358nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/418ns

Testbedingung

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

610µJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/157ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

330µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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