Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRGIB6B60KD116P

IRGIB6B60KD116P

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB6B60KD116P
PNEDA Teilenummer IRGIB6B60KD116P
Beschreibung IGBT 600V 11A 38W TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGIB6B60KD116P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB6B60KD116P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGIB6B60KD116P, IRGIB6B60KD116P Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 277,25 KB)
PDFIRGIB6B60KD116P Datenblatt Cover
IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 2 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 3 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 4 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 5 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 6 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 7 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 8 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 9 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 10 IRGIB6B60KD116P Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRGIB6B60KD116P Datasheet
  • where to find IRGIB6B60KD116P
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRGIB6B60KD116P
  • IRGIB6B60KD116P PDF Datasheet
  • IRGIB6B60KD116P Stock

  • IRGIB6B60KD116P Pinout
  • Datasheet IRGIB6B60KD116P
  • IRGIB6B60KD116P Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRGIB6B60KD116P Price
  • IRGIB6B60KD116P Distributor

IRGIB6B60KD116P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 5A
Leistung - max38W
Schaltenergie110µJ (on), 135µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/215ns
Testbedingung400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGW19NC60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IXST30N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

AIKW20N60CTXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

310µJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/199ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGD7NB120S-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

570ns/-

Testbedingung

960V, 7A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Kürzlich verkauft

ADG5421BCPZ-RL7

ADG5421BCPZ-RL7

Analog Devices

IC SWITCH SPST DUAL 10LFCSP

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

STD03N

STD03N

Sanken

TRANS NPN DARL 160V 15A TO-3P-5

SMDB3

SMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

5CEBA9F27C7N

5CEBA9F27C7N

Intel

IC FPGA 336 I/O 672FBGA

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

SMBJ30A

SMBJ30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA