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FGA30T65SHD

FGA30T65SHD

Nur als Referenz

Teilenummer FGA30T65SHD
PNEDA Teilenummer FGA30T65SHD
Beschreibung IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA30T65SHD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA30T65SHD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA30T65SHD, FGA30T65SHD Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 761,29 KB)
PDFFGA30T65SHD Datenblatt Cover
FGA30T65SHD Datenblatt Seite 2 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 3 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 4 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 5 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 6 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 7 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 8 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 9 FGA30T65SHD Datenblatt Seite 10

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FGA30T65SHD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Leistung - max238W
Schaltenergie598µJ (on), 167µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge54.7nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14.4ns/52.8ns
Testbedingung400V, 30A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31.8ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

234A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/143ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

STGFW40V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

FGH25N120FTDS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

13mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/360ns

Testbedingung

960V, 45A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG7PH50UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

556W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

290nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/430ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

SMAJ24A

SMAJ24A

Littelfuse

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AC

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

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GSOT05C-E3-08

GSOT05C-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 16V SOT23-3

OP2177ARMZ-R7

OP2177ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

LTC4416IMS-1#PBF

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IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP

CBC3225T220KR

CBC3225T220KR

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FIXED IND 22UH 780MA 351 MOHM

ADM3202ARUZ-REEL7

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

MCP2551-I/SN

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Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

TMMDB3

TMMDB3

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DIAC 28-36V 2A MINIMELF