FGA30T65SHD Datenblatt
FGA30T65SHD Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGA30T65SHD
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 238W Schaltenergie 598µJ (on), 167µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14.4ns/52.8ns Testbedingung 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31.8ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |