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FF900R12IP4BOSA2

FF900R12IP4BOSA2

Nur als Referenz

Teilenummer FF900R12IP4BOSA2
PNEDA Teilenummer FF900R12IP4BOSA2
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 900A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF900R12IP4BOSA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF900R12IP4BOSA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FF900R12IP4BOSA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SeriePrimePack™2
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)900A
Leistung - max5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce54nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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APTGF75DA60D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.18nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

VS-ETL015Y120H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

89W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.03V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

75µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.07nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EMIPAK-2B

Lieferantengerätepaket

EMIPAK-2B

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

CM150RX-12A

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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